Jednoho dne jsem pro jeden ze svých projektů potřeboval výkonný mosfet. Musel se přepnout velký proud asi 500 Ampérů. A pak přišel nápad vyrobit samostatný tranzistorový, modulární, kompozitní.
Z nízkopříkonových mosfetů bylo nutné sestavit jeden výkonný. Naštěstí jsou tyto tranzistory dobře uspořádány a fungují perfektně, pokud jsou vzájemně zapojeny paralelně.
Bude potřeba
- Tranzistory - 50N06 - 12 kusů -
- Lepidlo na kov, svařování za studena -
- Epoxidová pryskyřice.
- Textolitová deska pro instalaci.
- Tavidlo a pájka.
Proces výroby výkonného tranzistoru vlastníma rukama
Desku vyrábíme jakoukoliv dostupnou metodou.
Naleptáme v chloridu železitém a poté dobře opláchneme.
Pájíme technologické propojky a pocínujeme dráhy desky.
Pájíme tranzistory s efektem pole. Tento složený tranzistor používá 12 mosfetů řady 50N06 v pouzdru TO-252. Všechny části jsou zapojeny paralelně bez jakýchkoliv korekčních obvodů.
Kontakty jsou vyrobeny ze silného měděného drátu.
Před pájením můžete dočasně spojit silný drát s tenkým drátem a poté jej odstranit.
Desku omyjeme od tavidla.
Základnu kontaktů přilepíme epoxidovou pryskyřicí.
Ze silného hliníkového plechu jsme vyřízli teplovodivý substrát pro tranzistor.
Vyvrtáme otvor pro budoucí montáž na radiátor.
Desku „osadíme“ na teplovodivé lepidlo – svařování za studena.
Pro plnou viditelnost tranzistoru vyrobíme pouzdro pro zalití z plexiskla.
Smíchejte epoxidovou pryskyřici v poměru uvedeném v návodu.
Vyplňte formulář. a nechte zaschnout.
Odstraníme plexi korpus.
Téměř připraven to udělat.
Zbývá pouze aplikovat značení. Udělejme to laserem.
Zářezy potřeme barvou.
Výkonový MOSFET tranzistor je připraven k použití.
